一、使用原理
IGBT中文名為隔離柵雙極晶體管，是一種高性能的功率半導體器件。富士IGBT-PIM模塊內置多個IGBT芯片，同時還包含驅動電路、保護電路等部件，使得整個模塊具備了高性能、高可靠性和良好的可控性。IGBT芯片的工作原理與普通的晶體管類似，但其結構更為復雜，通過疊加若干PN結實現功率放大、控制兩大功能。雙極性晶體管在控制性能和開通壓降方面具有優勢，而隔離柵結構在與單芯晶體管相比提供了優異的控制性能的同時，還拓展了其大電流使用的范圍，使得整個功率器件工作更加高效可靠。
二、結構特點
1. 外形緊湊、結構合理。本模塊的外觀外殼采用金屬外殼，具有優秀的抗干擾性和散熱性能，內部包含驅動電路、保護電路和IGBT芯片等多個部件。
2. 內置IGBT芯片。本模塊采用多個IGBT芯片，實現了高功率、高效率的控制功能。
3. 多級驅動電路。模塊內部還配有高性能的驅動電路，采用全數字處理技術實現了多級驅動電路，從而保證了模塊的可控性能和耐用度。
4. 多種保護功能。模塊還具備多種保護功能，如過溫保護、過流保護、過壓保護等，從而保證了模塊的可靠性和安全性。
三、使用特點
1. 采用多級驅動電路和內置多個IGBT芯片設計，實現了高效率、穩定性和可控性能，廣泛應用于電機驅動、電力電子中各種應用場合。
2. 結構緊湊、內部配備有多種保護功能，可減少故障發生的可能性，同時模塊外部接口較為簡單明了，方便維護人員進行操作。
3. 適應性強，可根據不同的使用場合進行靈活組裝，適應各種電力系統應用需求，如不同的工作電壓、頻率等。
4. 富士IGBT-PIM模塊采用多種保護功能，如過流、過壓、過溫等保護措施，保障了功率裝置的安全性。
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更新時間：2023-03-17 
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