IGBT逆變模塊的損壞多半是由于什么造成？

更新時間：2020-03-19

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　　IGBT逆變模塊損壞多半是由于驅動電路損壞致使1個橋臂上的2個開關器件同一時間導通所造成的。變頻器逆變功率模塊損壞是不管在矢量變頻器還是節能變頻器等其他變頻設備上常見到的故障，解決這種問題只有查到損壞的根本原因，并首先消除再次損壞的可能，才能更換逆變模塊，否則換上去的新模塊會再損壞。

　　IGBT逆變模塊的一大缺陷就是存在中頻變壓器偏磁問題，正常工作情況下，功率開關器件在工作前半周與后半周導通脈寬相等，飽和壓降相等，前后半周交替通斷，變壓器磁心中沒有剩磁。但是，如果驅動電路輸出脈寬不對稱或其他原因，就會產生正負半周不平衡問題，此時，變壓器內的磁心會在某半周積累剩磁，出現“單向偏磁”現象，經過幾個脈沖，就可以使變壓器單向磁通達到飽和，變壓器失去作用，等效成短路狀態。這對于IGBT來說，極其危險，可能引發爆炸。

　　橋式電路的另一缺點是容易產生直通現象。直通現象是指同橋臂的IGBT在前后半周導通區間出現重疊，主電路板路，巨大的加路電流瞬時通過IGBT。

　　針對上述兩點不足，從驅動的角度出發、設計的驅動電路必須滿足四路驅動的波形*對稱，嚴格限制大工作脈寬，保證死區時間足夠.

　　針對IGBT逆變模塊，用分立元件設計出IGBT模塊的驅動電路。四路驅動波形嚴格一致，相位精確，柵極信號前沿陡峭。實驗果表明：研制的驅動電路*符合IGBT的驅動要求，能夠使IGBT可靠工作，具有一定的實用價值。

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